Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=83 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

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RS 库存编号:
688-6948
Distrelec 货号:
302-84-037
制造商零件编号:
IRFB4228PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

83A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

15mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

72nC

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

330W

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

宽度

4.82mm

高度

8.77mm

长度

1.3mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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