Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=50 mA, 3针, USM, 2SK系列

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RS 库存编号:
760-3114
制造商零件编号:
2SK1829(TE85L,F)
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

USM

系列

2SK

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

40Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

100mW

最大栅源电压 Vgs

-10V, +10V

最高工作温度

150°C

长度

2mm

高度

0.9mm

标准/认证

No

宽度

1.25mm

汽车标准

否

MOSFET N 通道，2SK 系列，Toshiba


MOSFET 晶体管，Toshiba


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


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