Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 50 mA, USM, 表面安装, 3引脚, 2SK1829(TE85L,F), 2SK系列
- RS 库存编号:
- 760-3114
- 制造商零件编号:
- 2SK1829(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
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|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB0.899 | RMB8.99 |
| 20 - 90 | RMB0.893 | RMB8.93 |
| 100 - 190 | RMB0.887 | RMB8.87 |
| 200 - 390 | RMB0.88 | RMB8.80 |
| 400 + | RMB0.873 | RMB8.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-3114
- 制造商零件编号:
- 2SK1829(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | USM | |
| 系列 | 2SK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 100mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±10 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 宽度 | 1.25 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 USM | ||
系列 2SK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 40Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 100mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±10 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 2mm | ||
高度 0.9mm | ||
宽度 1.25 mm | ||
汽车标准 否 | ||