制造商编号

onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=11.4 A, 8针, SOIC, NTMS系列

RS 库存编号:: 780-4723
制造商零件编号:: NTMS4177PR2G
制造商:: onsemi

onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=11.4 A, 8针, SOIC, NTMS系列

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RS 库存编号:: 780-4723
制造商零件编号:: NTMS4177PR2G
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	11.4A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	SOIC
	系列	NTMS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	19mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	2.5W
	正向电压 Vf	-1V
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	29nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	高度	1.5mm
	长度	5mm
	标准/认证	No
	宽度	4mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 11.4A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 SOIC
	系列 NTMS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 19mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 2.5W
	正向电压 Vf -1V
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	高度 1.5mm
	长度 5mm
	标准/认证 No
	宽度 4mm
	汽车标准否

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