Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=300 mA, 6针, SC-88, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
827-0002
制造商零件编号:
2N7002DWH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

300mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SC-88

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

4Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500mW

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.4nC

正向电压 Vf

0.96V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

150°C

长度

2mm

高度

0.8mm

宽度

1.25mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS系列MOSFET，60V漏源电压，4Ω漏源电阻 - 2N7002DWH6327XTSA1


该MOSFET是一款表面贴装N沟道晶体管，专为受限组件的低功率开关应用而设计。该器件采用增强型模式工作，并将两个元件集成在单颗芯片上，从而实现紧凑的双裸片开关，适用于车规级环境和工业环境。该器件适用于需要适度电流处理能力和受控导通电阻的板级应用。

特性和优点：


• 60V漏极额定值，支持更高电压的开关应用
• 导通状态下，导通电阻最高可达4Ω，降低了导通损耗
• 300mA连续漏极电流支持低电流负载
• 0.4nC典型栅极电荷，可实现快速高效开关
• 500mW功耗适用于低功耗、热限制设计
• 工作温度范围为-55°C至150°C，确保耐热

应用


• 适用于单片机驱动负载开关
• 适用于连接汽车系统中的传感器
• 与电池管理平衡电路配合使用
• 可用于小型继电器替代工作
• 适用于紧凑型SMD电源路径控制

在进行 PCB 布局时，我应该准备什么样的封装和引脚数？


该器件采用小型六引脚 SC-88 表面贴装封装，因此焊盘和热释放设计应与 SC-88 封装的焊盘布局相匹配。

双元件芯片对于并联运行有何影响？


同一芯片上的两个元件允许采用紧凑的双通道布局，无需外部匹配，但整体封装仍受限于总热极限。

必须遵循哪些栅极和漏极电压限值？


为避免器件受损，栅源电压不得超过±20V，而漏源电压限制为60V。

导通时预期的正向电压是多少？


在规定的测试条件下，相关导通路径的正向电压测量值约为 0.96V。

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