STMicroelectronics , SCT016H120G3AG 功率 MOSFET, 7引脚, 652 W, HPAK-7封装
- RS 库存编号:
- 330-555
- 制造商零件编号:
- SCT016H120G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 330-555
- 制造商零件编号:
- SCT016H120G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 导通电阻 RdsOn | 16mΩ | |
| 额定功率 | 652W | |
| 包装类型 | HPAK-7 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大电源电压 | 1200V | |
| 工作电流 | 112A | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
导通电阻 RdsOn 16mΩ | ||
额定功率 652W | ||
包装类型 HPAK-7 | ||
引脚数目 7 | ||
最大电源电压 1200V | ||
工作电流 112A | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 器件采用意法半导体先进的第三代 SiC MOSFET 技术开发而成。它在宽温度范围内具有极低的 RDS(on)，同时还具有低电容和高开关能力。这些特性可提高频率和能效，减小系统尺寸和重量，从而增强应用性能。
高速开关性能
源传感引脚，提高效率