53711 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 246-3789P
- 制造商零件编号 2SAR567F3TR
- 品牌 ROHM
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -2.5 A
- 最大集电极-发射极电压 -120 V
- 封装类型 DFN2020-3S (HUML2020L3)
个 (以每卷装提供)
RMB10.29(不含税)
- RS 库存编号 217-2497P
- 制造商零件编号 IPAN60R650CEXKSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 9.9A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个 (以每管装提供)
RMB6.951(不含税)
- RS 库存编号 279-9990P
- 制造商零件编号 SISS4410DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 36A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以每卷装提供)
RMB5.084(不含税)
- RS 库存编号 279-9988P
- 制造商零件编号 SISS4409DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 59.2A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以每卷装提供)
RMB11.246(不含税)
- RS 库存编号 166-0094
- 制造商零件编号 PBHV9050T,215
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -150 mA
- 最大集电极-发射极电压 -500 V
- 封装类型 SOT-23
个（每带 3000 ）
RMB1.255(不含税)
- RS 库存编号 906-4488P
- 制造商零件编号 IKW40N120T2FKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 75 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 480 W
个 (以每管装提供)
RMB50.075(不含税)
- RS 库存编号 279-9984P
- 制造商零件编号 SISH107DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 34.4A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个 (以每卷装提供)
RMB4.925(不含税)
- RS 库存编号 279-9981P
- 制造商零件编号 SISH103DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 54A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个 (以每卷装提供)
RMB5.629(不含税)
- RS 库存编号 264-3670P
- 制造商零件编号 CDZVT2R15B
- 品牌 ROHM
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 15V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.716(不含税)
- RS 库存编号 687-3283
- 制造商零件编号 SMAJ48CA R3
- 品牌 Taiwan Semiconductor
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 77.4V
个（每托盘 20 ）
RMB1.862(不含税)
- RS 库存编号 219-6007
- 制造商零件编号 IPP65R225C7XKSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 41A
- 最大漏源电压 Vd 700V
个（每托盘 5 ）
RMB14.376(不含税)
- RS 库存编号 189-4435P
- 制造商零件编号 STTH1R02ZF
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SOD-123
- 最大连续正向电流 If 1A
个 (以每卷装提供)
RMB1.458(不含税)
- RS 库存编号 177-5368
- 制造商零件编号 MDD95-12N1B
- 品牌 IXYS
- 产品类型 二极管
- 安装类型 面板
- 包装类型 TO-240
- 最大连续正向电流 If 120A
个 (以毎盒：36)
RMB246.832(不含税)
- RS 库存编号 210-5024P
- 制造商零件编号 SQ3493EV-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 8A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个 (以每卷装提供)
RMB2.522(不含税)
- RS 库存编号 170-2290
- 制造商零件编号 BSC12DN20NS3GATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 11.3A
- 最大漏源电压 Vd 200V
个（每带 5000 ）
RMB4.562(不含税)
- RS 库存编号 166-3048
- 制造商零件编号 SMBJ13CA
- 品牌 Taiwan Semiconductor
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 21.5V
- 最小击穿电压 14.4V
个（每带 3000 ）
RMB0.969(不含税)
- RS 库存编号 246-4005
- 制造商零件编号 VS13VUA1VWMTFTR
- 品牌 ROHM
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 21.5V
- 最小击穿电压 14.7V
个（每托盘 25 ）
RMB3.134(不含税)
- RS 库存编号 241-2280
- 制造商零件编号 RGCL80TS60DGC13
- 品牌 ROHM
- 最大连续集电极电流 65 A
- 最大集电极-发射极电压 600 V
- 最大栅极发射极电压 ±30V
- 晶体管数 1
个（每托盘 2 ）
RMB47.01(不含税)
- RS 库存编号 877-2801P
- 制造商零件编号 P0118MA 2AL3
- 品牌 STMicroelectronics
- 额定平均通态电流 0.5A
- 可控硅类型 SCR
- 封装类型 TO-92
- 重复峰值反向电压 600V
个 (以每带装提供)
RMB2.597(不含税)
- RS 库存编号 185-9076
- 制造商零件编号 ESD5581N2T5G
- 品牌 onsemi
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 12V
个（每托盘 35 ）
RMB0.627(不含税)