54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 760-9893P
- 制造商零件编号 STD35NF06T4
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 35A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个 (以每卷装提供)
RMB13.698(不含税)
- RS 库存编号 484-2814
- 制造商零件编号 BT139-800,127
- 品牌 WeEn Semiconductors Co., Ltd
- 额定平均通态电流 16A
- 安装类型 通孔
- 封装类型 TO-220AB
- 最大栅极触发电流 70mA
个（每托盘 5 ）
RMB3.60(不含税)
- RS 库存编号 700-3854
- 制造商零件编号 BAT54WS-E3-08
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SOD-323
- 最大连续正向电流 If 200mA
个（每托盘 50 ）
RMB0.793(不含税)
- RS 库存编号 146-2220
- 制造商零件编号 W06MG
- 品牌 HY Electronic Corp
- 峰值平均正向电流 1.5A
- 电桥类型 单相
- 峰值反向重复电压 600V
- 安装类型 通孔
个 (以毎盒：1000)
RMB1.177(不含税)
- RS 库存编号 813-3858
- 制造商零件编号 ZMY36-GS18
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 36V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个
RMB0.79(不含税)
- RS 库存编号 172-4630
- 制造商零件编号 FCB199N65S3
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 14A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每托盘 10 ）
RMB18.75(不含税)
- RS 库存编号 838-6977
- 制造商零件编号 FS25R12W1T4B11BOMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 45 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 205 W
个
RMB235.32(不含税)
- RS 库存编号 598-941
- 制造商零件编号 DN2470K4-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 射频 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 170mA
- 最大漏源电压 Vd 700V
个（每带 2000 ）
RMB6.661(不含税)
- RS 库存编号 284-994
- 制造商零件编号 IKQ50N120CH7XKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 62A
- 最大集电极-发射极电压 1200V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 1
个
RMB60.71(不含税)
- RS 库存编号 671-4812
- 制造商零件编号 FDP2552
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 5A
- 最大漏源电压 Vd 150V
个（每托盘 5 ）
RMB17.706(不含税)
- RS 库存编号 241-0734P
- 制造商零件编号 FGHL75T65LQDTL4
- 品牌 onsemi
- 最大连续集电极电流 80 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 20V
- 晶体管数 30
个 (以每管装提供)
RMB49.53(不含税)
- RS 库存编号 711-4884P
- 制造商零件编号 BC857BW-7-F
- 品牌 DiodesZetex
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -100 mA
- 最大集电极-发射极电压 -45 V
- 封装类型 SOT-323 (SC-70)
个 (以每卷装提供)
RMB0.722(不含税)
- RS 库存编号 284-976
- 制造商零件编号 IGQ120N120S7XKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 120A
- 最大集电极-发射极电压 1200V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 1
每管：30 个
RMB91.772(不含税)
- RS 库存编号 228-2892P
- 制造商零件编号 SIJA74DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 81.2A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以每卷装提供)
RMB5.186(不含税)
- RS 库存编号 216-9654
- 制造商零件编号 TSM033NB04LCR
- 品牌 Taiwan Semiconductor
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 121A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个（每托盘 10 ）
RMB17.931(不含税)
- RS 库存编号 124-8756
- 制造商零件编号 BSP296NH6327XTSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 1.2A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每带 1000 ）
RMB1.952(不含税)
- RS 库存编号 786-2984P
- 制造商零件编号 MMQA6V8T1G
- 品牌 onsemi
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 共阳极
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 9.8V
个 (以每卷装提供)
RMB1.036(不含税)
- RS 库存编号 808-0275P
- 制造商零件编号 IXYH40N120C3
- 品牌 IXYS
- 最大连续集电极电流 70 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 577 W
个 (以每管装提供)
RMB72.63(不含税)
- RS 库存编号 919-4889
- 制造商零件编号 IRL530NPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 17A
- 最大漏源电压 Vd 100V
每管：50 个
RMB7.381(不含税)
- RS 库存编号 258-6970
- 制造商零件编号 BAR6403WE6327HTSA1
- 品牌 Infineon
- 二极管配置 单路
- 应用 开关
- 每片芯片元件数目 1
- 最大正向电流 100mA
个（每带 3000 ）
RMB0.562(不含税)