53842 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 818-5418P
- 制造商零件编号 TZMB3V6-GS08
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 3.6V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.361(不含税)
- RS 库存编号 816-7741
- 制造商零件编号 BC857W
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -100 mA
- 最大集电极-发射极电压 -45 V
- 封装类型 SOT-323 (SC-70)
个（每托盘 300 ）
RMB0.314(不含税)
- RS 库存编号 124-6537P
- 制造商零件编号 DTC014EUBTL
- 品牌 ROHM
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 100 mA
- 最大集电极-发射极电压 50 V
- 封装类型 SOT-323F
个 (以每卷装提供)
RMB0.628(不含税)
- RS 库存编号 165-7260
- 制造商零件编号 SI1032R-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 210mA
- 最大漏源电压 Vd 20V
个（每带 3000 ）
RMB1.178(不含税)
- RS 库存编号 233-0957
- 制造商零件编号 SMA6F85A-M3/H
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 136V
- 最小击穿电压 94.4V
个（每托盘 25 ）
RMB1.583(不含税)
- RS 库存编号 246-3924
- 制造商零件编号 RB168VWM-30TR
- 品牌 ROHM
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面, 通孔
- 包装类型 PMDE
- 最大连续正向电流 If 1A
个（每带 3000 ）
RMB0.931(不含税)
- RS 库存编号 258-3895
- 制造商零件编号 IPP60R160P7XKSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 20A
- 最大漏源电压 Vd 600V
个（每托盘 2 ）
RMB22.28(不含税)
- RS 库存编号 817-2478P
- 制造商零件编号 VS-5EWL06FNTR-M3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 超低 VF 超快速整流器
- 安装类型 表面
- 包装类型 TO-252
- 最大连续正向电流 If 5A
个 (以每卷装提供)
RMB4.564(不含税)
- RS 库存编号 168-7500
- 制造商零件编号 STP26NM60N
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 20A
- 最大漏源电压 Vd 600V
每管：50 个
RMB22.557(不含税)
- RS 库存编号 829-3900P
- 制造商零件编号 T1650H-6T
- 品牌 STMicroelectronics
- 额定平均通态电流 16A
- 安装类型 通孔
- 封装类型 TO-220AB
- 最大栅极触发电流 50mA
个 (以每管装提供)
RMB15.402(不含税)
- RS 库存编号 237-4294
- 制造商零件编号 2SCR586JGTLL
- 品牌 ROHM
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 5A
- 最大集电极-发射极电压 80 V
- 封装类型 TO-263AB
个（每托盘 5 ）
RMB16.968(不含税)
- RS 库存编号 246-3789
- 制造商零件编号 2SAR567F3TR
- 品牌 ROHM
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -2.5 A
- 最大集电极-发射极电压 -120 V
- 封装类型 DFN2020-3S (HUML2020L3)
个
RMB10.29(不含税)
- RS 库存编号 798-2962
- 制造商零件编号 PSMN4R3-30PL,127
- 品牌 Nexperia
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 100A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每托盘 5 ）
RMB11.716(不含税)
- RS 库存编号 822-2258P
- 制造商零件编号 BZT52C3V0S-7-F
- 品牌 DiodesZetex
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 3V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.429(不含税)
- RS 库存编号 215-009
- 制造商零件编号 STGWA50M65DF2AG
- 品牌 STMicroelectronics
- 最大连续集电极电流 119 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 1
个
RMB41.43(不含税)
- RS 库存编号 274-0788
- 制造商零件编号 VS-1EAH02-M3/H
- 品牌 Vishay
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 DFN3820A
- 最大连续正向电流 If 1A
个（每托盘 25 ）
RMB1.778(不含税)
Microchip N 沟道 DMOS FET沟道 耗尽模式型 单 MOSFET, Vds=500 V, 350 mA, TO-252 (D-PAK-3), 表面安装, 3引脚, DN2450K4-G
- RS 库存编号 598-985
- 制造商零件编号 DN2450K4-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 350mA
- 最大漏源电压 Vd 500V
个（每带 2000 ）
RMB6.218(不含税)
- RS 库存编号 795-7212P
- 制造商零件编号 SM4T28CAY
- 品牌 STMicroelectronics
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 50V
- 最小击穿电压 26.7V
个 (以每卷装提供)
RMB4.232(不含税)
- RS 库存编号 598-471
- 制造商零件编号 TP5322K1-G
- 品牌 Microchip
- 产品类型 单 MOSFET
- 槽架类型 N 沟道垂直 DMOS FET
- 最大连续漏极电流 Id 450mA
- 最大漏源电压 Vd 40V
个（每带 3000 ）
RMB3.65(不含税)
