54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 774-3404
- 制造商零件编号 2N4124G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 200 mA
- 最大集电极-发射极电压 25 V
- 封装类型 TO-92
个（每托盘 50 ）
RMB0.845(不含税)
- RS 库存编号 180-7892
- 制造商零件编号 SIS407ADN-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 18A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个（每托盘 20 ）
RMB3.973(不含税)
- RS 库存编号 716-5558
- 制造商零件编号 IRF2804PBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 280A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个（每托盘 2 ）
RMB14.73(不含税)
- RS 库存编号 827-4072
- 制造商零件编号 IRFR5505TRPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 18A
- 最大漏源电压 Vd 55V
个（每托盘 20 ）
RMB4.334(不含税)
- RS 库存编号 110-7169
- 制造商零件编号 IKP06N60TXKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 6 A
- 最大集电极-发射极电压 600 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 88 W
个（每托盘 10 ）
RMB4.416(不含税)
- RS 库存编号 814-1304
- 制造商零件编号 SIS415DNT-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 35A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个
RMB4.185(不含税)
- RS 库存编号 216-9509P
- 制造商零件编号 TBS610
- 品牌 Taiwan Semiconductor
- 峰值平均正向电流 6A
- 峰值反向重复电压 1000V
- 安装类型 PCB
- 封装类型 TBS
个 (以每卷装提供)
RMB5.084(不含税)
- RS 库存编号 686-8354P
- 制造商零件编号 STGW20NC60VD
- 品牌 STMicroelectronics
- 最大连续集电极电流 60 A
- 最大集电极-发射极电压 600 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 封装类型 TO-247
个 (以每管装提供)
RMB14.72(不含税)
- RS 库存编号 800-9787P
- 制造商零件编号 BZX84C5V6ET3G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 5.6V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.293(不含税)
- RS 库存编号 124-6775
- 制造商零件编号 RB161MM-20TR
- 品牌 ROHM
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SOD-123
- 最大连续正向电流 If 1A
个（每托盘 30 ）
RMB1.962(不含税)
- RS 库存编号 902-6376
- 制造商零件编号 1.5KE120CA-E3/54
- 品牌 Vishay
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 165V
个（每托盘 10 ）
RMB4.903(不含税)
- RS 库存编号 751-3455P
- 制造商零件编号 BAV23A-7-F
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 共阳极
- 最大正向电流 400mA
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 2
个 (以每卷装提供)
RMB0.339(不含税)
- RS 库存编号 220-595P
- 制造商零件编号 NTMFS0D9N04XLT1G
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 278A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个 (以每卷装提供)
RMB15.364(不含税)
- RS 库存编号 177-7360
- 制造商零件编号 BZX85C68-TR
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 68V
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 5000 ）
RMB0.402(不含税)
- RS 库存编号 242-0965P
- 制造商零件编号 AUIRFS3107TRL
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 260A
- 最大漏源电压 Vd 75V
个 (以每卷装提供)
RMB52.87(不含税)
- RS 库存编号 226-6098
- 制造商零件编号 IKD10N60RATMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 20 A
- 最大集电极-发射极电压 600 V
- 最大栅极发射极电压 20V
- 晶体管数 1
个（每托盘 10 ）
RMB4.777(不含税)
- RS 库存编号 688-6829P
- 制造商零件编号 IRF3205ZPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 110A
- 最大漏源电压 Vd 55V
个 (以每管装提供)
RMB4.415(不含税)
- RS 库存编号 275-1386P
- 制造商零件编号 STWA65N023M9
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 92A
- 包装类型 TO-247
个 (以每管装提供)
RMB148.60(不含税)
- RS 库存编号 232-6763
- 制造商零件编号 ISC0805NLSATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 71A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每带 5000 ）
RMB3.672(不含税)
- RS 库存编号 790-5450P
- 制造商零件编号 NJW0281G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 15A
- 最大集电极-发射极电压 250 V
- 封装类型 TO-3P
个 (以每管装提供)
RMB25.63(不含税)