54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 145-2835
- 制造商零件编号 MUR815G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
- 封装类型 TO-220
每管：50 个
RMB3.823(不含税)
- RS 库存编号 122-2391
- 制造商零件编号 SBR20A200CTFP
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 二极管
- 安装类型 通孔
- 包装类型 TO-220
- 最大连续正向电流 If 20A
每管：50 个
RMB6.452(不含税)
- RS 库存编号 159-6507
- 制造商零件编号 TZMB4V7-GS08
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 4.7V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 2500 ）
RMB0.316(不含税)
- RS 库存编号 634-7181
- 制造商零件编号 SML4744-E3/61
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 15V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 5 ）
RMB2.32(不含税)
- RS 库存编号 258-0906P
- 制造商零件编号 FS75R12W2T7B11BOMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 65 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 封装类型 AG-EASY2B-711
个 (以每托盘提供)
RMB376.89(不含税)
- RS 库存编号 222-2868P
- 制造商零件编号 DMT3009UDT-7
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 10.6A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个 (以每卷装提供)
RMB4.361(不含税)
- RS 库存编号 235-2786P
- 制造商零件编号 SCS230AE2HRC11
- 品牌 ROHM
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 通孔
- 包装类型 TO-247N
- 最大连续正向电流 If 30A
个 (以每管装提供)
RMB81.55(不含税)
- RS 库存编号 254-8689P
- 制造商零件编号 FUS1DE
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 do － 219AA
- 峰值反向重复电压 Vrrm 200V
个 (以每卷装提供)
RMB0.831(不含税)
- RS 库存编号 248-603
- 制造商零件编号 STTH212S
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 DO-214AA
- 最大连续正向电流 If 2A
个（每托盘 5 ）
RMB4.756(不含税)
- RS 库存编号 257-9329P
- 制造商零件编号 IRF8714TRPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 14A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个 (以每卷装提供)
RMB4.094(不含税)
- RS 库存编号 240-8536P
- 制造商零件编号 IPLK70R1K2P7ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 9.4A
- 最大漏源电压 Vd 700V
个 (以每卷装提供)
RMB6.904(不含税)
- RS 库存编号 233-6852P
- 制造商零件编号 NSDP301MX3T5G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 应用 射频衰减器，射频开关
- 每片芯片元件数目 1
- 最大正向电流 100mA
个 (以每卷装提供)
RMB0.913(不含税)
- RS 库存编号 258-0890P
- 制造商零件编号 FS35R12W1T7B11BOMA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 35 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20.0V
- 最大功率耗散 20 mW
个 (以每托盘提供)
RMB235.05(不含税)
- RS 库存编号 170-4880
- 制造商零件编号 BZX84-C4V7,235
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 4.7V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 10000 ）
RMB0.134(不含税)
- RS 库存编号 215-9675P
- 制造商零件编号 DTA114TETL
- 品牌 ROHM
- 产品类型 套件
- 最大集电极-发射极电压 Vceo -50V
- 安装类型 表面
- 最大集电极-基极电压 VCBO -50V
个 (以每卷装提供)
RMB1.321(不含税)
- RS 库存编号 232-0387
- 制造商零件编号 IMW65R039M1HXKSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 46A
- 最大漏源电压 Vd 650V
每管：30 个
RMB46.692(不含税)
- RS 库存编号 215-6646P
- 制造商零件编号 IHW50N65R5XKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 80 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 282 W
个 (以每管装提供)
RMB23.92(不含税)
- RS 库存编号 252-8475P
- 制造商零件编号 CSD13383F4T
- 品牌 Texas Instruments
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 182A
- 最大漏源电压 Vd 12V
个 (以每卷装提供)
RMB4.15(不含税)
- RS 库存编号 485-4463
- 制造商零件编号 BZV55-C5V6,115
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 5.6V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 50 ）
RMB0.314(不含税)
- RS 库存编号 188-8293
- 制造商零件编号 STL40DN3LLH5
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 40A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每带 3000 ）
RMB6.126(不含税)