100A IGBT模块
83
筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
RS 库存编号
168-4763
制造商零件编号IXA70I1200NA
品牌IXYS
|
RMB222.012
毎管：10 个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 350 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | - | 单 | 38.23 x 25.25 x 9.6mm |
|
|
RS 库存编号
804-7625
制造商零件编号IXA70I1200NA
品牌IXYS
|
RMB355.82
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 350 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | - | 单 | 38.23 x 25.25 x 9.6mm |
|
RS 库存编号
111-6088
制造商零件编号FF100R12RT4HOSA1
品牌Infineon
|
RMB673.94
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 555 W | AG-34MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 94 x 34 x 30.2mm |
|
RS 库存编号
168-4761
制造商零件编号IXDN55N120D1
品牌IXYS
|
RMB226.062
毎管：10 个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 450 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | 1MHz | 单 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
|
|
RS 库存编号
166-0839
制造商零件编号FF100R12RT4HOSA1
品牌Infineon
|
RMB673.985
Each (In a Tray of 10)
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 555 W | AG-34MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 94 x 34 x 30.2mm |
|
|
RS 库存编号
804-7616
制造商零件编号IXDN55N120D1
品牌IXYS
|
RMB250.14
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 450 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | 1MHz | 单 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
|
RS 库存编号
468-2410
制造商零件编号SKM100GB125DN
品牌Semikron
|
RMB1,089.25
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94.5 x 34.5 x 30.5mm |
|
RS 库存编号
146-1767
制造商零件编号IXYH50N120C3
品牌IXYS
|
RMB68.195
毎管：30 个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 750 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
|
RS 库存编号
906-4472
制造商零件编号IGW60T120FKSA1
品牌Infineon
|
RMB47.79
/个 (每包:2个)
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 375 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
|
|
RS 库存编号
808-0287
制造商零件编号IXYH50N120C3
品牌IXYS
|
RMB77.08
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 750 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
|
RS 库存编号
166-0911
制造商零件编号FS100R12KT4GBOSA1
品牌Infineon
|
RMB1,288.138
Each (In a Tray of 10)
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 515 W | AG-ECONO3-4 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | 122 x 62 x 17mm |
|
|
RS 库存编号
111-6091
制造商零件编号FS100R12KT4GBOSA1
品牌Infineon
|
RMB1,288.15
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 515 W | AG-ECONO3-4 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | 122 x 62 x 17mm |
|
|
RS 库存编号
165-8132
制造商零件编号IGW60T120FKSA1
品牌Infineon
|
RMB38.988
毎管：30 个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 375 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
|
RS 库存编号
754-5409
制造商零件编号IKW50N60TFKSA1
品牌Infineon
|
RMB43.43
个
单位
|
100 A | 600 V | ±20V | - | 333 W | TO-247 | - | 通孔 | - | 3 | - | 单 | 16.03 x 21.1 x 5.16mm |
|
RS 库存编号
123-8830
制造商零件编号NGTB25N120FL3WG
品牌onsemi
|
RMB40.00
/个 (每包:2个)
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 16.25 x 5.3 x 21.4mm |
|
RS 库存编号
897-7239
制造商零件编号IKW50N60H3FKSA1
品牌Infineon
|
RMB40.62
/个 (每包:2个)
单位
|
100 A | 600 V | ±20V | - | 333 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
|
|
RS 库存编号
145-3284
制造商零件编号NGTB25N120FL3WG
品牌onsemi
|
RMB29.436
毎管：30 个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 16.25 x 5.3 x 21.4mm |
|
RS 库存编号
124-8810
制造商零件编号IKW50N60H3FKSA1
品牌Infineon
|
RMB35.021
毎管：30 个
单位
|
100 A | 600 V | ±20V | - | 333 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
|
|
RS 库存编号
911-4798
制造商零件编号IKW50N60TFKSA1
品牌Infineon
|
RMB35.284
毎管：30 个
单位
|
100 A | 600 V | ±20V | - | 333 W | TO-247 | - | 通孔 | - | 3 | - | - | 16.03 x 21.1 x 5.16mm |
|
RS 库存编号
253-9817
制造商零件编号FP100R12N2T7B11BPSA1
品牌Infineon
|
RMB1,321.607
Each (In a Tray of 15)
单位
|
100 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
IGBT
IGBT模块
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成。IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动、UPS不间断电源等设备上。
