- RS 库存编号 235-2686P
- 制造商零件编号 R6507END3TL1
| ROHM | MOSFET | - | N | 7A | 650V | - | TO-252 | - | 表面 | 3 | 665mΩ | 增强 | 20nC | -55°C | - | 78W | 20V | - | - | 150°C | - | 2.4mm | No | 6.4mm | 10.4mm | - |
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- RS 库存编号 349-264
- 制造商零件编号 IPTA60R180CM8XTMA1
| Infineon | MOSFET | - | N | 18A | 600V | - | PG-LHSOF-4 | IPT | 表面 | 4 | 180mΩ | 增强 | 17nC | -55°C | - | 119W | 20V | 900mV | - | 150°C | - | - | JEDEC, RoHS | - | - | - |
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- RS 库存编号 264-763
- 制造商零件编号 HT8KB5TB1
| ROHM | MOSFET | - | N | 12A | 40V | - | TO-263 | HP8 | 表面 | 8 | 47mΩ | 增强 | - | -55°C | - | 13W | 20V | 1.2V | - | 150°C | - | - | No | - | - | 2 |
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- RS 库存编号 229-6444
- 制造商零件编号 NTBG045N065SC1
| onsemi | MOSFET | - | N | 62A | 650V | - | TO-263 | SiC Power | 表面 | 7 | 50mΩ | N | 105nC | -55°C | - | 242W | 22V | 4.8V | - | 175°C | - | 4.7mm | No | 10.2mm | 9.4mm | - |
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- RS 库存编号 186-7931P
- 制造商零件编号 FDP083N15A-F102
小计 5 件 (按管提供) RMB214.11(不含税)RMB42.822/件 | onsemi | MOSFET | - | N | 117A | 150V | - | TO-220 | FDP083N15A | 通孔 | 3 | 8.3mΩ | - | 64.5nC | -55°C | - | 294W | 30V 直流 | 1.25V | 单 | 150°C | - | 4.67mm | RoHS Compliant | 10.36mm | 8.78mm | 1 |
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- RS 库存编号 739-6241
- 制造商零件编号 FDMA410NZ
| onsemi | MOSFET | - | N | 9.5A | 20V | - | MLP | PowerTrench | 表面 | 6 | 50mΩ | 增强 | 10nC | -55°C | - | 900mW | -8V, +8V | 1.2V | - | 150°C | - | 2mm | No | 2mm | 750μm | - |
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- RS 库存编号 219-518P
- 制造商零件编号 PSMN2R0-40YLBX
| Nexperia | MOSFET | - | N | 180A | 40V | - | LFPAK | PSM | 表面 | 5 | 2.1mΩ | 增强 | 18nC | -55°C | - | 166W | 10V | - | - | 175°C | - | - | RoHS | - | - | - |
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- RS 库存编号 653-133
- 制造商零件编号 SISS5812DN-T1-GE3
| Vishay | 单MOSFET | - | N | 42.8A | 80V | - | PowerPAK | SISS5812DN | 表面 | 8 | 0.0135Ω | 增强 | 10nC | -55°C | - | 44.6W | 20V | - | - | 150°C | - | 3.4mm | No | 3.4mm | 830μm | - |
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- RS 库存编号 204-7209P
- 制造商零件编号 SIHG105N60EF-GE3
小计 5 件 (按连续条带形式提供) RMB186.92(不含税)RMB37.384/件 | Vishay | MOSFET | - | N | 29A | 600V | - | TO-247 | SiHG105N60EF | 通孔 | 3 | 102mΩ | 增强 | 53nC | -55°C | - | 208W | 30V | 1.2V | - | 150°C | - | 5.21mm | No | 15.87mm | 20.7mm | - |
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- RS 库存编号 124-2410
- 制造商零件编号 PSMN1R7-60BS,118
小计(1 卷,共 800 件) RMB16,322.40(不含税)RMB20.403/件 | Nexperia | MOSFET | - | N | 120A | 60V | - | TO-263 | - | 表面 | 3 | 3.1mΩ | 增强 | 137nC | -55°C | - | 306W | -20V, +20V | - | - | 175°C | - | 11mm | No | 10.3mm | 4.5mm | - |
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- RS 库存编号 221-6710P
- 制造商零件编号 NTH4LN067N65S3H
| onsemi | MOSFET | - | N | 40A | 650V | - | TO-247 | NTH4LN067N | 通孔 | 4 | 67mΩ | 增强 | 80nC | -55°C | - | 266W | 30V | 1.2V | - | 175°C | - | 5.2mm | RoHS | 15.8mm | 22.74mm | - |
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- RS 库存编号 165-7765
- 制造商零件编号 IRFML8244TRPBF
小计(1 卷,共 3000 件) RMB2,235.00(不含税)RMB0.745/件 | Infineon | MOSFET | - | N | 5.8A | 25V | - | SOT-23 | HEXFET | 表面 | 3 | 41mΩ | 增强 | 5.4nC | -55°C | - | 1.25W | -20V, +20V | 1.2V | - | 150°C | - | 1.4mm | No | 3.04mm | 1.02mm | - |
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- RS 库存编号 222-4360P
- 制造商零件编号 RRS050P03HZGTB
| ROHM | MOSFET | - | P型 | 5A | 30V | - | SOP | RRS050 | 表面 | 8 | 50mΩ | 增强 | 9.2nC | -55°C | - | 2W | 20V | -1.2V | - | 150°C | - | 1.75mm | RoHS, Pb-free lead plating, AEC-Q101 | 5.2mm | 6.3mm | - |
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- RS 库存编号 168-7774
- 制造商零件编号 TK35E08N1
| Toshiba | MOSFET | - | N | 55A | 80V | - | TO-220 | TK | 通孔 | 3 | 12.2mΩ | 增强 | 25nC | - | - | 72W | -20V, +20V | -1.2V | - | 150°C | - | 4.45mm | No | 10.16mm | 15.1mm | - |
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- RS 库存编号 124-1417
- 制造商零件编号 FDD4141
小计(1 卷,共 2500 件) RMB8,557.50(不含税)RMB3.423/件 | onsemi | PowerTrench MOSFET | - | P型 | 50A | 40V | - | TO-252 | PowerTrench | 表面 | 3 | 12.3mΩ | 增强 | 50nC | -55°C | - | 69W | -20V, +20V | 1.2V | - | 150°C | - | 6.22mm | RoHS | 6.73mm | 2.39mm | - |
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- RS 库存编号 284-9066
- 制造商零件编号 NTH4L040N120M3S
小计(1 件) RMB107.47(不含税)RMB107.47/件 | onsemi | MOSFET | - | N | 54A | 1200V | - | TO-247-4L | - | 通孔 | 4 | - | 增强 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 1 |
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- RS 库存编号 264-3877P
- 制造商零件编号 RTR025N05HZGTL
| ROHM | MOSFET | - | N | 2.5A | 45V | - | SOT-346 | RTR025N05HZG | 表面 | 3 | 130mΩ | 增强 | 3.2nC | -55°C | - | 1W | 12V | 1.2V | - | 150°C | - | - | AEC-Q101 | - | - | - |
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- RS 库存编号 737-7228P
- 制造商零件编号 IRLML6244TRPBF
| Infineon | MOSFET | - | N | 6.3A | 20V | - | SOT-23 | HEXFET | 表面 | 3 | 27mΩ | 增强 | 8.9nC | -55°C | - | 1.3W | -12V, +12V | 1.2V | - | 150°C | - | 1.4mm | No | 3.04mm | 1.02mm | - |
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- RS 库存编号 165-6934
- 制造商零件编号 SI2365EDS-T1-GE3
小计(1 卷,共 3000 件) RMB2,283.00(不含税)RMB0.761/件 | Vishay | MOSFET | - | P型 | 5.9A | 20V | - | SOT-23 | TrenchFET | 表面 | 3 | 0.0675Ω | 增强 | 13.8nC | -50°C | - | 1.7W | -8V, +8V | -0.8V | - | 150°C | - | 1.4mm | RoHS | 3.04mm | 1.02mm | - |
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- RS 库存编号 217-2572P
- 制造商零件编号 IPP80R900P7XKSA1
| Infineon | MOSFET | - | N | 6A | 800V | - | TO-220 | CoolMOS P7 | 通孔 | 3 | 900mΩ | 增强 | 15nC | -55°C | - | 45W | 20V | 900mV | - | 150°C | - | 4.57mm | No | 10.36mm | 29.95mm | - |