onsemi igbt模块, 3个, Q1BOOST, 表面安装

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RS 库存编号:
245-6983
制造商零件编号:
NXH40B120MNQ1SNG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

igbt模块

晶体管数

3

最大功耗 Pd

156W

包装类型

Q1BOOST

安装类型

表面

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

系列

NXH40B120MNQ1SNG

宽度

32.8 mm

标准/认证

RoHS

高度

13.9mm

长度

55.2mm

汽车标准

全 SiC MOSFET 模块 | EliteSiC 三通道全 SiC 升压器,1,200 V,40 mohm SiC MOSFET + 1,200 V,40 A SiC 二极管镀镍 DBC


ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG 是包含三通道升压级的电源模块。集成的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管提供更低的传导损耗和切换损耗,使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。

40 m/1200 V SiC MOSFET 半−Ω 桥接

电热调节器

具有预应用热接口材料和不带预应用 TIM 的选项

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这些设备无铅,无卤化物,且符合 RoHS 标准