STMicroelectronics NPN沟道IGBT, 9针, 2个晶体管, Ic 216 A, VCEO 650 V, ECOPACK

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RS 库存编号:
273-5093
制造商零件编号:
STGSB200M65DF2AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流 Ic

216A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

714W

晶体管数

2

包装类型

ECOPACK

配置

单

安装类型

表面

槽架类型

NPN

引脚数目

9

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.05V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

4mm

标准/认证

UL1557

高度

5.5mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 汽车级槽门现场停止低损耗 M 系列 IGBT,采用 ACEPACK SMIT 封装。此设备是使用先进的专有槽门现场停止结构开发的 IGBT。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。

紧凑型参数分布

低热阻

直接粘合铜 (DBC) 基板上的扳手

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