STMicroelectronics NPN沟道IGBT, 双个, Ic 200 A, VCEO 650 V, 9针, ECOPACK, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 273-5093
- 制造商零件编号:
- STGSB200M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5093
- 制造商零件编号:
- STGSB200M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 200 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功率耗散 | 714 W | |
| 封装类型 | ECOPACK | |
| 配置 | 单 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 通道类型 | NPN | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 200 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 2 | ||
最大功率耗散 714 W | ||
封装类型 ECOPACK | ||
配置 单 | ||
安装类型 贴片 | ||
通道类型 NPN | ||
引脚数目 9 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 汽车级槽门现场停止低损耗 M 系列 IGBT,采用 ACEPACK SMIT 封装。此设备是使用先进的专有槽门现场停止结构开发的 IGBT。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。
紧凑型参数分布
低热阻
直接粘合铜 (DBC) 基板上的扳手