制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=314 A, 8针, PG-HSOF-8-1, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 284-669
制造商零件编号:: IAUTN12S5N017ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=314 A, 8针, PG-HSOF-8-1, OptiMOS系列

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200 - 998	RMB45.405	RMB90.81
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RS 库存编号:: 284-669
制造商零件编号:: IAUTN12S5N017ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	314A
	最大漏源电压 Vd	120V
	包装类型	PG-HSOF-8-1
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.7mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	358W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 314A
	最大漏源电压 Vd 120V
	包装类型 PG-HSOF-8-1
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 358W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	汽车标准否

Datasheet - IAUTN12S5N017ATMA1

英飞凌 OptiMOS 5 汽车功率 MOSFET 专为在要求苛刻的应用中实现稳健的性能而设计。它采用 OptiMOS 5 技术，具有出色的效率和可靠性，是汽车电源管理解决方案的理想选择。其 N 信道增强模式结构可提供高级功能，同时符合严格的行业标准。这款功率晶体管专为承受极端条件而设计，可确保在高达 175°C 的温度条件下正常工作，并通过了 AEC Q101 以上的扩展认证。

针对汽车兼容性进行了优化

强化测试确保性能可靠

采用先进热管理的坚固设计

MSL1 等级支持 260°C 峰值回流焊

符合 RoHS 标准，有利于环保

雪崩测试证实了瞬态恢复能力

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=314 A, 8针, PG-HSOF-8-1, OptiMOS系列

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