Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2000 V, Id=89 A, 4针, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET系列

RS 库存编号:: 284-864
制造商零件编号:: IMYH200R024M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2000 V, Id=89 A, 4针, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET系列

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制造商零件编号:: IMYH200R024M1HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	89A
	最大漏源电压 Vd	2000V
	系列	CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
	包装类型	PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	35mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	576W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	137nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 89A
	最大漏源电压 Vd 2000V
	系列 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
	包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 35mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 576W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 137nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMYH200R024M1HXKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC 2000V SiC Trench MOSFET 系列 MOSFET，2000V 最大漏源电压，89A 最大连续漏极电流 - IMYH200R024M1HXKSA1

这款MOSFET是一款专为严苛电力电子环境中的高压开关应用而设计的碳化硅功率晶体管。它作为N沟道增强型器件运行，采用通孔PG-TO-247-4封装，便于在工业装配中实现稳固安装和散热。该元件适用于需要在宽温度范围内实现高阻断电压和持续电流处理的应用。

特性和优点：

• 2000V漏源耐压，适用于高压系统
• 重负载运行时具有89A持续漏极电流
• 35mΩ的Rds(on)以最小化导通损耗
• 576W最大功耗，确保散热耐久性
• 在Vgs下具有137nC典型栅极电荷，用于确定驱动尺寸
• 工作温度范围为-55°C至175°C，具有更宽的温度裕度

应用

• 适用于牵引反相器高压级
• 适用于公用事业级电力转换设备
• 与高压DC-DC转换器模块配合使用
• 可用于工业电机驱动器和控制器
• 适用于固态断路器设计

组装时需要哪种安装方式？

它采用PG-TO-247-4通孔封装，需要配合兼容的电子散热器并牢固安装，才能达到规定的功耗要求。

应注意哪些栅极驱动限制？

最大栅源电压为20V，因此栅极驱动器必须将Vgs限制在该值以内，以避免损坏。

该器件在高负载下的热性能如何？

在适当的冷却条件下，该晶体管可耗散高达576W的功率

热管理必须设计成能将结温维持在工作限值范围内。

它是否适用于汽车级项目？

未指定符合汽车标准，在需要汽车级认证的情况下不应选用。