ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, AG185FGD3HRBTL, AG185FGD3HRB系列
- RS 库存编号:
- 687-438
- 制造商零件编号:
- AG185FGD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
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|---|---|---|
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| 50 - 198 | RMB8.22 | RMB16.44 |
| 200 - 998 | RMB6.62 | RMB13.24 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-438
- 制造商零件编号:
- AG185FGD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | -40V | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | AG185FGD3HRB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42nC | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.80 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd -40V | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 AG185FGD3HRB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.80 mm | ||
高度 2.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 设计用于汽车应用。此设备专为提供高效切换而设计,最大漏源电压为 40V,连续漏电流为 80A。它具有低导通电阻,可确保在运行过程中将功率损耗降至最低,从而有助于在严苛环境中改善热管理和性能。这款 MOSFET 的功率耗散能力为 96W,适用于各种需要可靠、稳健性能的应用。无铅电镀和符合 RoHS 标准,彰显了对环保制造的承诺。该部件符合 AEC-Q101 标准,可确保符合严格的汽车可靠性和安全性标准。
3.2mΩ 的低导通电阻可最大限度提高效率并减少发热
额定连续漏电流为 80A,适用于稳健应用
96W 的高功耗能力,适用于要求严苛的任务
其设计最大漏源电压为 40V,可确保应用的通用性
通过 AEC Q101 认证,确保汽车应用的高可靠性
无铅电镀和符合 RoHS 标准,体现了环保生产
适用于各种汽车系统,可提高系统性能和使用寿命
采用紧凑的 DPAK 封装,可有效利用 PCB 设计的空间