ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-30 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, AG502EED3HRBTL, AG502EED3HRB系列
- RS 库存编号:
- 687-467
- 制造商零件编号:
- AG502EED3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
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|---|---|---|
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| 50 - 198 | RMB13.54 | RMB27.08 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-467
- 制造商零件编号:
- AG502EED3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | AG502EED3HRB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最大功耗 Pd | 77W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.80 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 AG502EED3HRB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最大功耗 Pd 77W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.80 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM 功率 MOSFET 专为在汽车系统中实现高效可靠的能源管理而设计。该设备的最大漏源电压为 -30V,连续漏电流能力高达 78A,非常适合需要稳健功率处理的严苛应用。8.5mΩ 的低导通电阻可将功率损耗降至最低,有助于提高热效率。此外,这款 MOSFET 符合 AEC-Q101 标准,可确保满足严格的汽车耐用性和性能要求。AG502EED3HRB 具有出色的雪崩特性和宽工作温度范围,可确保在各种条件下性能稳定。
结构坚固,符合 AEC Q101 汽车应用标准
8.5mΩ 的低接通电阻,优化了能效
最大连续排放电流为 78A,可处理要求严苛的负载
-55°C 至 175°C 的宽工作温度范围,性能可靠
热阻为 1.94°C/W,可增强散热能力
100% 通过雪崩测试,确保在瞬态条件下的高可靠性
无铅电镀,符合 RoHS 标准,设计环保