Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=16 A, 3针, TO-263, E Series系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB35.60

(不含税)

RMB40.23

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 1,000 件在 2026年9月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
1 - 9RMB35.60
10 - 49RMB22.06
50 - 99RMB17.05
100 +RMB11.53

* 参考价格

RS 库存编号:
735-205
制造商零件编号:
SIHB240N65E-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

16A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-263

系列

E Series

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.24Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

147W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL

相关链接