Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 16 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB240N65E-GE3, E Series系列
- RS 库存编号:
- 735-205
- 制造商零件编号:
- SIHB240N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 735-205
- 制造商零件编号:
- SIHB240N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | E Series | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.24Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 最大功耗 Pd | 147W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 E Series | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.24Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
最大功耗 Pd 147W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 9.65mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
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