Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, PowerPAK 10 x 12, 板安装, 8引脚, SIHK110N65SF-T1GE3, SF Series系列
- RS 库存编号:
- 735-228
- 制造商零件编号:
- SIHK110N65SF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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- RS 库存编号:
- 735-228
- 制造商零件编号:
- SIHK110N65SF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 34A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | SF Series | |
| 安装类型 | 板 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.065Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 329W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 85nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 34A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 SF Series | ||
安装类型 板 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.065Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 329W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL