Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.5 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, SI8916EDB-T6-E1, TrenchFET系列

N
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735-232
制造商零件编号:
SI8916EDB-T6-E1
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

TrenchFET

包装类型

微型支脚

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.6nC

最大功耗 Pd

0.77W

最大栅源电压 Vgs

±12 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

长度

1.11mm

高度

0.13mm

宽度

1.11 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN