Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4.3 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, Si8489EDB系列

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RS 库存编号:
165-6345
制造商零件编号:
SI8489EDB-T2-E1
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

4.3A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

微型支脚

系列

Si8489EDB

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

82mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17.5nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-0.8V

最大栅源电压 Vgs

12 V

最大功耗 Pd

1.8W

最高工作温度

150°C

宽度

1 mm

高度

0.268mm

标准/认证

No

长度

1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor