制造商编号

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=12 V, Id=16 A, 6针, 微型支脚, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 180-7932
制造商零件编号:: SI8483DB-T2-E1
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=12 V, Id=16 A, 6针, 微型支脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 180-7932
制造商零件编号:: SI8483DB-T2-E1
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	16A
	最大漏源电压 Vd	12V
	包装类型	微型支脚
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	26mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	21nC
	最大功耗 Pd	13W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	10V
	正向电压 Vf	-1.2V
	最高工作温度	150°C
	长度	1.5mm
	高度	0.59mm
	标准/认证	No
	宽度	1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 16A
	最大漏源电压 Vd 12V
	包装类型微型支脚
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 26mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC
	最大功耗 Pd 13W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 10V
	正向电压 Vf -1.2V
	最高工作温度 150°C
	长度 1.5mm
	高度 0.59mm
	标准/认证 No
	宽度 1mm
	汽车标准否

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Siliconix Si8483DB 系列 TrenchFET 双 N 通道功率 MOSFET 具有 12 V 的漏极至源电压最大功耗为 13 W ，主要用于便携式设备的负载开关。

低电压降

低功耗

延长电池寿命

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