Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 51 A, TO-247AD 3L, 通孔安装, 3引脚, MXP120A045SW-GE3, MXP系列

N
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736-650
制造商零件编号:
MXP120A045SW-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

51A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247AD 3L

系列

MXP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

82mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

254W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

84nC

最大栅源电压 Vgs

22V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

4.9V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

COO (Country of Origin):
TW
Vishay N 沟道碳化硅 MOSFET 具备快速开关性能,适用于高效电机驱动器和 DC-DC 转换器。该半导体器件通过 3 微秒短路耐受时间确保系统稳定性,适用于严苛工况的太阳能逆变器和能源系统。

快速开关速度实现能源效率

强固的短路保护周期

适用于不间断电源的多功能设计

可持续材料合规标准