Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 31 A, TO-247AD, 表面安装, 4引脚, MXP120A080SL-GE3, MaxSiC系列

N
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制造商零件编号:
MXP120A080SL-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

31A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

MaxSiC

包装类型

TO-247AD

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45nC

最大栅源电压 Vgs

22V

正向电压 Vf

4.7V

最大功耗 Pd

174W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

5.21mm

标准/认证

RoHS

宽度

16.13mm

长度

23.6mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 1200 V N-Channel SiC MOSFET 专为高性能电源应用而设计,兼具效率、速度和可靠性。其先进设计可确保在苛刻条件下稳健运行,同时保持环保合规性。

快速开关速度可提升整体效率

短路耐受时间可达 3 μs,确保可靠性

额定最大漏源电压电压为 1200 V