Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 41 A, TO-247AD, 表面安装, 4引脚, MXPQ120A063SL-GE3, MaxSiC系列

N
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制造商零件编号:
MXPQ120A063SL-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

41A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247AD

系列

MaxSiC

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

63mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

4.8V

最大功耗 Pd

205W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

最大栅源电压 Vgs

22V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

长度

23.6mm

高度

5.21mm

宽度

16.13mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 1200 V N-Channel SiC MOSFET 是一款高性能开关设备,旨在提高各种电源应用的效率。

快速开关速度可优化运行性能

短路耐受时间为 3 μs,可靠性更强

符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车应用

导通电阻低至 63 mΩ,可确保功耗最小