STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=56 A, 3针, TO-263, STB Series系列

N

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RS 库存编号:
830-840
制造商零件编号:
STB25N018M9
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

56A

最大漏源电压 Vd

250V

包装类型

TO-263

系列

STB Series

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

18mΩ

通道模式

增强模式

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

85nC

最大功耗 Pd

320W

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

标准/认证

ROHS

宽度

10mm

高度

4.5mm

长度

10.3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
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