Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=70 V, 34.6 A, PowerPAIR 3 x 3FS, 表面安装, 8引脚, SIZF458LDT-T1-UE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 847-936
- 制造商零件编号:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 847-936
- 制造商零件编号:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 34.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 70V | |
| 包装类型 | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.020Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12V | |
| 最大功耗 Pd | 48.1W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.30mm | |
| 标准/认证 | RoHS3 Compliant | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 34.6A | ||
最大漏源电压 Vd 70V | ||
包装类型 PowerPAIR 3 x 3FS | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.020Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.2nC | ||
最大栅源电压 Vgs 12V | ||
最大功耗 Pd 48.1W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.30mm | ||
标准/认证 RoHS3 Compliant | ||
高度 1mm | ||
长度 3.30mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay双N沟道MOSFET专为高效电源管理而设计，主要用于在多变电压条件下仍需高可靠性和性能的开关应用。
支持高达70V的漏源电压，性能可靠
针对50%占空比配置进行了优化，提升了开关效率
采用倒装芯片技术，提供卓越的热设计，散热性能更出色
100%通过R和UIS测试，确保在关键应用中性能可靠