制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=257 A, 8针, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 228-2940
制造商零件编号:: SiZF906BDT-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=257 A, 8针, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 228-2940
制造商零件编号:: SiZF906BDT-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	257A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	PowerPAIR 6 x 5F
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0021Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	83W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	25nC
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	双
	标准/认证	RoHS
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 257A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 PowerPAIR 6 x 5F
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0021Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 83W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置双
	标准/认证 RoHS
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

Vishay 双 N 通道 30 V (D-S) MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=257 A, 8针, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET系列

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