Vishay N沟道 N型 功率 MOSFET, Vds=70 V, 45.3 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SISS178LDN-T1-BE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 851-509
- 制造商零件编号:
- SISS178LDN-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
N
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 1 件）*
RMB6.67
(不含税)
RMB7.54
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年11月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB6.67 |
| 25 - 99 | RMB4.41 |
| 100 + | RMB2.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 851-509
- 制造商零件编号:
- SISS178LDN-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 70V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.013Ω | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 39W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 Qualified | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 长度 | 6.05mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 45.3A | ||
最大漏源电压 Vd 70V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.013Ω | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 39W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18.7nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 Qualified | ||
高度 1.04mm | ||
长度 6.05mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N通道MOSFET在电源管理方面具有高效率,其坚固的结构可满足高级电子应用中的各种电气需求。
额定漏源电压为 70 V,确保在各种应用中性能可靠
在 4.5 V 电压下具有低导通电阻,最大为 0.0109 Ω,可提高能效
设计用于处理高达42.3 A的连续漏电流,支持高功率操作
包含15 A的单脉冲雪崩额定值,可防止电压瞬变