Vishay P-通道沟道增强型MOSFET, Vds=-40 V, Id=-50 A, 3针, TO-252, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
904-967
制造商零件编号:
SQD50P04-09L_NE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-50A

最大漏源电压 Vd

-40V

包装类型

TO-252

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.0094Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

103nC

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

136W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

ROHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW
Vishay P 通道 MOSFET 专为在高温环境中高效管理电源而设计。它具有稳健的规格，可在汽车应用中有效运行。

无卤素，符合 IEC 61249-2-21 标准，确保环保使用

具有低导通电阻，确保高效性能

通过 AEC-Q101 认证，符合严格的汽车标准

具有卓越的耐热性，可在高负载下提供更好的性能

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