Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=8 V, 3.5 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
180-7328
制造商零件编号:
SI8802DB-T2-E1
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.5A

最大漏源电压 Vd

8V

系列

TrenchFET

包装类型

微型支脚

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

54mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

5 V

最大功耗 Pd

0.6W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.3nC

最高工作温度

150°C

宽度

0.8 mm

长度

0.8mm

标准/认证

No

汽车标准

Vishay Siliconix SI8802DB 系列 TrenchFET N 沟道功率 MOSFET 具有 8 V 的漏极至源电压它的最大功耗为 0.9 W ,主要用于具有低电压降的负载开关。

低接通电阻

无卤素

无铅