Vishay P-通道沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=-30 V, -6.3 A, 微型支脚, 表面安装, 4引脚, SI8409ADB-T1-E1, TrenchFET系列

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847-935
制造商零件编号:
SI8409ADB-T1-E1
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-6.3A

最大漏源电压 Vd

-30V

包装类型

微型支脚

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.046Ω

通道模式

增强模式

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.77W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

12V

最高工作温度

150°C

高度

0.62mm

长度

1.60mm

标准/认证

RoHS3 Compliant

宽度

1.60mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE
Vishay P沟道MOSFET可作为负载、电池和充电器开关高效运行。它拥有超紧凑的尺寸和低导通电阻，在各种电子应用中展现出高效率。

微型封装可实现最小的体积，丝毫不影响性能表现

低导通电阻可最大限度提升电源管理效率

兼容其他多种设备，确保应用灵活性

支持高额定电流，提升了在严苛工况下的可靠性

可在宽温度范围内稳定运行，轻松适应各类环境

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