Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=36 A, 8针, SOIC, TrenchFET系列

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180-7284
制造商零件编号:
SI4154DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

36A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.9mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32.5nC

最大功耗 Pd

5W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay 表面安装 N 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，漏 - 源电压为 40V ，最大栅 - 源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 3.3 mohm 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 7.8W ，连续漏极电流为 36A。此 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势


• 无卤素

•无铅 (Pb)

•工作温度范围 -55°C 至 150°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用


• POL

•同步整流器

认证


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

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