制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=300 A, 8针, HSOF, IAUT系列

RS 库存编号:: 229-1809
制造商零件编号:: IAUT300N08S5N012ATMA2
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=300 A, 8针, HSOF, IAUT系列

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* 参考价格

RS 库存编号:: 229-1809
制造商零件编号:: IAUT300N08S5N012ATMA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	300A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	HSOF
	系列	IAUT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.2mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	375W
	最高工作温度	+175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 300A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 HSOF
	系列 IAUT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 375W
	最高工作温度 +175°C
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon n 通道 MOSFET 具有 175°C 工作温度和 100% 雪崩测试。

它符合 RoHS 标准且符合 AEC Q101 标准

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

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