Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=620 mA, 3针, SC-59, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 215-2469
制造商零件编号:: BSR315PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=620 mA, 3针, SC-59, SIPMOS系列

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RS 库存编号:: 215-2469
制造商零件编号:: BSR315PH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	620mA
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SC-59
	系列	SIPMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	800mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	0.5W
	正向电压 Vf	-1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	6nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 620mA
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SC-59
	系列 SIPMOS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 800mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 0.5W
	正向电压 Vf -1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - BSR315PH6327XTSA1

Infineon SIPMOS 系列 MOSFET，60V 最大漏源电压，620mA 最大连续漏极电流 - BSR315PH6327XTSA1

该 MOSFET 是一款 P 通道增强型设备，专为紧凑型表面安装组件中的开关和信号控制而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于在小型 SC‑59 封装中需要适度连续电流处理和低功耗的应用。该组件适用于需要低栅极电荷开关元件和简单栅极驱动能力的场合。

特性和优点：

• 60V 最大漏极电压支持高压开关
• 800mΩ Rds(on) 可减少低电流下的传导损耗
• 0.62A 连续漏极电流支持小信号负载
• 6nC 典型栅极电荷，可实现更快的开关转换
• 0.5W 功耗适用于低功耗表面安装设计
• 额定温度为 -55°C 至 150°C，适用于宽泛的温度环境

应用

• 用于低压电池保护电路
• 适用于便携式设备的电源路径切换
• 适用于模块中的信号级极性控制
• 可用于小型电机驱动门级
• 与热管理受限的 SMD 组件配合使用

应考虑哪些栅极驱动限制？

栅极驱动电压相对于源极高达 ±20V，因此确保栅极驱动电路保持在此电压范围内。

热环境对连续电流处理有何影响？

0.5W 耗散极限可在高环境温度下限制电流

需要适当的 PCB 散热或降额以保持 0.62A 的连续电流。

组装时的安装注意事项有哪些？

它采用 SC‑59 表面安装封装，配有三个引脚，因此建议使用标准 SMD 回流焊曲线和正确的焊盘布局设计。

该设备是否适用于汽车规格项目？

它不符合汽车标准分类，在强制要求汽车级认证的场合不应选用。