Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=9 A, 3针, SOT-223, IPN系列
- RS 库存编号:
- 217-2543
- 制造商零件编号:
- IPN60R360P7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 包，共 20 件）*
RMB116.44
(不含税)
RMB131.58
(含税)
有库存
- 另外 2,680 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB5.822 | RMB116.44 |
| 760 - 1480 | RMB5.647 | RMB112.94 |
| 1500 + | RMB5.476 | RMB109.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2543
- 制造商零件编号:
- IPN60R360P7SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | IPN | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 360mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 111W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 8.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 8.8mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 IPN | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 360mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 111W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 8.8mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 8.8mm | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPN系列MOSFET,600V最大漏源电压,111W最大功耗 - IPN60R360P7SATMA1
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关,专为表面安装电源应用而设计,提供增强模式操作,可在电子电路中实现受控传导。它设计用于通过三个引脚在扩展的环境范围和接口中运行,采用紧凑型SOT-223封装,适用于板级组装。
特性和优点：
• 600V 漏电容差可在高压系统中运行
• 9A 连续漏电流支持中等功率负载
• 360 mΩ Rds(on),可在额定条件下最大限度减少传导损耗
• 111W 功耗可实现持久的热处理
• 36 nC 典型栅极电荷,有助于实现可预测的开关行为
• 9A 连续漏电流支持中等功率负载
• 360 mΩ Rds(on),可在额定条件下最大限度减少传导损耗
• 111W 功耗可实现持久的热处理
• 36 nC 典型栅极电荷,有助于实现可预测的开关行为
应用
• 适用于高压电源开关设计
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 与需要表面贴装组件的电源配合使用
• 可用于控制电路中的电机驱动开关
• 适用于工业设备的线路级电源管理
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 与需要表面贴装组件的电源配合使用
• 可用于控制电路中的电机驱动开关
• 适用于工业设备的线路级电源管理
操作过程中必须遵守哪些栅极电压限制?
栅极与电源相比不得超过 20 V 峰值,以避免过度压力。
该设备在使用过程中可承受的热量范围是多少?
它专为在 -40°C 至 150°C 温度范围内运行,适用于低温启动和高温运行条件。
它为 PCB 安装提供多少电气连接?
它提供三个电气引脚,并以 SOT-223 表面贴装形式提供。
在正向二极管路径中导电时,典型的正向下降是多少?
在数据表测试条件下,正向电压指定为 0.9 V。
相关链接
- Infineon N沟道 MOSFET, Vds=650 V, 100 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN60R360PFD7SATMA1, IPN系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 9 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 10 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN70R450P7SATMA1, IPN系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 12.5 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN70R360P7SATMA1, 700V CoolMOS P7系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 6.5 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN70R750P7SATMA1, IPN系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 4 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN70R1K4P7SATMA1, IPN系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 3 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN70R2K0P7SATMA1, IPN70R系列
- Infineon N沟道 MOSFET, Vds=650 V, 100 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN系列