Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=12.5 A, 6针, PQFN, HEXFET系列

RS 库存编号:: 217-2639
制造商零件编号:: IRL80HS120
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=12.5 A, 6针, PQFN, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 217-2639
制造商零件编号:: IRL80HS120
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	12.5A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	HEXFET
	包装类型	PQFN
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	42mΩ
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	11.5W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	高度	2.1mm
	长度	2.1mm
	宽度	1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 12.5A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 HEXFET
	包装类型 PQFN
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 42mΩ
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 11.5W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	高度 2.1mm
	长度 2.1mm
	宽度 1mm
	汽车标准否

Datasheet - IRL80HS120

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,80V 最大漏源电压,12.5A 最大连续漏电流 - IRL80HS120

这款 MOSFET 是一款紧凑型 N 通道开关晶体管,专为需要受控传导和耐热性的表面贴装电源应用而设计。它可在宽温度范围内运行,专为在紧凑型PQFN封装中使用而设计,兼顾小尺寸的功率处理。

特性和优点：

• 80V 最大漏源电压可实现高压切换能力
• 42mΩ Rds(on),可在重负载期间最大限度减少传导损耗
• 12.5A 连续漏电流支持持久电流传输
• 7nC 典型栅极电荷,可实现高效的栅极驱动控制
• 11.5W 最大功耗可在狭小布局中管理热应力
• 20V 栅极-源极限允许安全通用的栅极驱动电压

应用

• 适用于紧凑型电源中的直流-直流转换器
• 适用于需要高压切换的电机驱动器级
• 用于功率密集型设计中的电池管理电路
• 可用于电源导轨中的同步整流
• 在宽温度波动范围内与热要求严苛的系统配合使用

它的工作温度范围是多少？

它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可在高温环境中使用。

用于 PCB 路由的引脚数量是多少?

它采用六针PQFN布局,可简化表面贴装布线。

正向电压及其含义是什么?

正向电压为 1.2V,可为传导路径中的损耗和压降计算提供信息。

设计人员应期待哪种封装和安装方式?

该设备采用 PQFN 封装,适用于在紧凑型 PCB 上进行表面安装。