ROHM , 2 P型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7.5 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8JC5TB1

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包装方式:
RS 库存编号:
223-6393
制造商零件编号:
SH8JC5TB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

7.5A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.32Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

50nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

2W

最高工作温度

150°C

晶体管配置

标准/认证

No

宽度

6 mm

高度

1.75mm

长度

5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

ROHM 功率 MOSFET 采用 DFN2020-8D 封装类型。它主要用于切换。

低接通电阻

小型表面安装封装

无铅电镀,符合 RoHS 标准

无卤素