Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=850 V, 4.4 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SiHD5N80AE-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 228-2851
- 制造商零件编号:
- SiHD5N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB11,451.00
(不含税)
RMB12,939.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年1月04日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB3.817 | RMB11,451.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2851
- 制造商零件编号:
- SiHD5N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 850V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.35Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.4A | ||
最大漏源电压 Vd 850V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.35Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,850 V 最大漏源电压,4.4 A 最大连续漏电流 - SiHD5N80AE-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业电子产品中的开关和功率转换任务而设计。它采用紧凑型表面贴装 TO-252 封装,适用于需要稳健电压处理和中等连续电流能力的应用,占地面积小。
特性和优点：
• 850V 漏电容差可实现高压系统集成 • 4.4A 连续漏电流支持中等负载切换 • 1.35Ω Rds(on)可减少负载下的传导损耗 • 11nC 典型栅极电荷,可实现高效的栅极驱动设计 • 62.5W 功耗可在紧凑布局中管理热负载 • 150°C 最高接点温度可保持高温运行
应用
• 适用于工业控制系统中的SMPS和转换器 • 适用于电源中的反向和升压拓扑结构 • 用于LED驱动器和照明控制中的线路侧切换 • 可用于电池充电器的高电压预调节阶段
为确保安全运行,应遵守哪些栅极驱动限值?
栅极-源电压不得超过 30 V,以避免在开关过渡期间的栅极介电应力。
热保险率对PCB布局的选择有何影响?
设计人员应提供足够的铜面积或热通道,以去除 TO-252 接地模式的热量,具有 62.5 W 的消散额定值和高接线能力。
此设备是否适用于汽车系统?
它未指定用于汽车标准用途,不应在汽车认证是强制性的地方选择。
栅极充电数值带来了哪些切换优势?
11nC 栅极电荷平衡开关速度和驱动能量,需要的栅极驱动器尺寸适用于所需的上升/下降时间和开关频率。