STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1.2 kV, Id=12 A, 3针, H2PAK, STB37N60系列

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包装方式：
RS 库存编号:
233-3041
制造商零件编号:
STH12N120K5-2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

1.2kV

包装类型

H2PAK

系列

STB37N60

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

690mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

44.2nC

最大功耗 Pd

250W

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

长度

10.4mm

标准/认证

No

高度

4.8mm

宽度

15.8mm

汽车标准

否

STMicroelectronics 极高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh ™ K5 技术设计。因此可显著降低接通电阻和超低栅极电荷，适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。

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