ROHM N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, SOP, 表面安装, 8引脚, SH8MC5TB1
- RS 库存编号:
- 235-2817
- 制造商零件编号:
- SH8MC5TB1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥85.52
(不含税)
¥96.64
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB17.104 | RMB85.52 |
| 50 - 95 | RMB16.798 | RMB83.99 |
| 100 - 245 | RMB16.494 | RMB82.47 |
| 250 - 995 | RMB16.192 | RMB80.96 |
| 1000 + | RMB15.894 | RMB79.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-2817
- 制造商零件编号:
- SH8MC5TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.75 mm | |
| 高度 | 5.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 4.05mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.6nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.75 mm | ||
高度 5.2mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 4.05mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 低接通电阻 MOSFET 特别适用于开关应用。此产品包括两个 60V MOSFET ，采用小型表面安装封装。
无铅电镀
无卤素