Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 6.1 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, IPN系列
- RS 库存编号:
- 244-2262
- 制造商零件编号:
- IPN50R2K0CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2262
- 制造商零件编号:
- IPN50R2K0CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | IPN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.1A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 IPN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 的 CoolMOS™ CE Power MOSFET 是一个高电压功率 MOSFET 的技术平台，它根据超级结原理（SJ）设计，旨在满足消费者的要求。
由于 FOM Rdson Qg 和 Eoss 极低，损耗极低。
非常高的交换坚固性。
易于使用/驱动。
无铅镀层，无卤模制化合物。
符合标准等级应用要求。