Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=0.12 A, 3针, SOT-223, BSP系列

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RS 库存编号:
250-0527
制造商零件编号:
BSP125H6433XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.12A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

SOT-223

系列

BSP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

45000mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 小信号 N 沟道产品适用于汽车应用。此 SIPMOS 功率晶体管是 N 沟道增强模式，Vds 600 V，Rds（on）45 Ω，ID 0.12 A。它是 dv/dt 等级。

无铅引线镀层

最大功耗为 360mW

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