Infineon N沟道增强型OptiMOSTM 功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=40 A, 8针, PG-TSDSON-8FL, ISZ系列

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RS 库存编号:
273-3043
制造商零件编号:
ISZ040N03L5ISATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

OptiMOSTM 功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PG-TSDSON-8FL

系列

ISZ

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

最大功耗 Pd

37W

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.7V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21

汽车标准

Infineon 低电压功率 MOSFET 提供广泛的可访问性和具有竞争力的价格/性能比。

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