制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=120 A, 4针, ECOPACK, STL系列

RS 库存编号:: 273-5099
制造商零件编号:: STL260N4F7
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=120 A, 4针, ECOPACK, STL系列

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单位	每单位	每卷*
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6000 - 6000	RMB14.237	RMB42,711.00
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RS 库存编号:: 273-5099
制造商零件编号:: STL260N4F7
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	120A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	STL
	包装类型	ECOPACK
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	1.1mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	188W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	72nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 120A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 STL
	包装类型 ECOPACK
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 1.1mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 188W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 72nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - STL260N4F7

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 使用 STripFET F7 技术,具有增强的槽门结构,可产生非常低的接通状态电阻,同时还可减少内部电容和门充电,以实现更快、更高效的切换。

AEC-Q101 认证

出色的 FoM

高风暴耐用性

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=120 A, 4针, ECOPACK, STL系列

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