STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=125 V, Id=20 A, 4针, M174, SD2931系列
- RS 库存编号:
- 917-3356
- 制造商零件编号:
- SD2931-10W
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 917-3356
- 制造商零件编号:
- SD2931-10W
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 工作频率 | 230MHz | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 125V | |
| 输出功率 | 150W | |
| 系列 | SD2931 | |
| 包装类型 | M174 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | 65°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 高度 | 4.11mm | |
| 长度 | 26.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 24.89mm | |
| 典型功率增益 | 14dB | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
工作频率 230MHz | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 125V | ||
输出功率 150W | ||
系列 SD2931 | ||
包装类型 M174 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 65°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
晶体管配置 单 | ||
高度 4.11mm | ||
长度 26.67mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 24.89mm | ||
典型功率增益 14dB | ||
汽车标准 否 | ||
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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