54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 486-1360
- 制造商零件编号 SM6T200CA
- 品牌 STMicroelectronics
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 353V
- 最小击穿电压 190V
个（每托盘 5 ）
RMB1.844(不含税)
- RS 库存编号 146-1962
- 制造商零件编号 FDN352AP
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 1.3A
- 最大漏源电压 Vd 30V
个（每带 3000 ）
RMB1.251(不含税)
- RS 库存编号 508-315
- 制造商零件编号 BAT754S,215
- 品牌 Nexperia
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SOT-23
- 最大连续正向电流 If 200mA
个（每托盘 50 ）
RMB0.535(不含税)
- RS 库存编号 168-6983
- 制造商零件编号 STD9N60M2
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 5.5A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每带 2500 ）
RMB5.743(不含税)
- RS 库存编号 236-3641
- 制造商零件编号 BSC004NE2LS5ATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 479A
- 最大漏源电压 Vd 25V
个（每托盘 5 ）
RMB15.484(不含税)
- RS 库存编号 814-1266P
- 制造商零件编号 SIHG20N50C-E3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 功率 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 20A
- 最大漏源电压 Vd 500V
个 (以每管装提供)
RMB21.788(不含税)
- RS 库存编号 818-4995
- 制造商零件编号 TZX27C-TR
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 27V
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 200 ）
RMB0.232(不含税)
- RS 库存编号 687-0915P
- 制造商零件编号 T1235-600G-TR
- 品牌 STMicroelectronics
- 额定平均通态电流 12A
- 安装类型 贴片
- 封装类型 D2PAK (TO-263)
- 最大栅极触发电流 35mA
个 (以每卷装提供)
RMB11.11(不含税)
- RS 库存编号 813-3928
- 制造商零件编号 ZPY27-TR
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 27V
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 100 ）
RMB0.369(不含税)
- RS 库存编号 267-2292
- 制造商零件编号 BSS670T116
- 品牌 ROHM
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 650A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每托盘 25 ）
RMB2.052(不含税)
- RS 库存编号 273-7305
- 制造商零件编号 BFR182WH6327XTSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 射频双极晶体管
- 最大直流集电极电流 Idc 35mA
- 最大集电极-发射极电压 Vceo 20V
- 包装类型 SOT-323
个（每托盘 25 ）
RMB0.954(不含税)
- RS 库存编号 279-9267
- 制造商零件编号 3.0C18CA-M3/I
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 2 x 共阴极对
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 29.2V
- 最小击穿电压 20V
个（每托盘 5 ）
RMB5.792(不含税)
- RS 库存编号 671-0902
- 制造商零件编号 FQB50N06LTM
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 52A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每托盘 5 ）
RMB10.116(不含税)
- RS 库存编号 258-0966
- 制造商零件编号 IDL04G65C5XUMA2
- 品牌 Infineon
- 产品类型 整流器和肖特基二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 PG-VSON-4
- 最大连续正向电流 If 4A
个（每托盘 2 ）
RMB15.155(不含税)
- RS 库存编号 181-1929
- 制造商零件编号 FGH75T65SQDNL4
- 品牌 onsemi
- 最大连续集电极电流 200 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 1
个
RMB61.04(不含税)
- RS 库存编号 261-3937
- 制造商零件编号 BAT6302VH6327XTSA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 SC-79
- 最大连续正向电流 If 100mA
个（每托盘 50 ）
RMB2.616(不含税)
- RS 库存编号 124-9005
- 制造商零件编号 IRFB4115PBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 104A
- 最大漏源电压 Vd 150V
每管：50 个
RMB12.669(不含税)
- RS 库存编号 906-4472P
- 制造商零件编号 IGW60T120FKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 100 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 375 W
个 (以每管装提供)
RMB38.835(不含税)
- RS 库存编号 816-7965
- 制造商零件编号 BZX585-C9V1
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 9.1V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 200 ）
RMB0.409(不含税)
- RS 库存编号 761-3956
- 制造商零件编号 FDC6327C
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型, N型
- 最大连续漏极电流 Id 2.7A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个（每托盘 10 ）
RMB5.397(不含税)