54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 235-2762P
- 制造商零件编号 RGW80TS65EHRC11
- 品牌 ROHM
- 最大连续集电极电流 40 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±30V
- 晶体管数 1
个 (以每管装提供)
RMB60.975(不含税)
- RS 库存编号 151-948
- 制造商零件编号 TIP127
- 品牌 STMicroelectronics
- 晶体管类型 PNP
- 最大连续集电极电流 5A
- 最大集电极-发射极电压 100 V
- 最大发射极-基极电压 5V
个（每托盘 20 ）
RMB7.63(不含税)
- RS 库存编号 229-1436
- 制造商零件编号 IXTT220N20X4HV
- 品牌 Littelfuse
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 220A
- 最大漏源电压 Vd 200V
个
RMB132.78(不含税)
- RS 库存编号 787-9027
- 制造商零件编号 SI4946BEY-T1-GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 6.5A
- 最大漏源电压 Vd 60V
个（每托盘 5 ）
RMB5.64(不含税)
- RS 库存编号 829-0618P
- 制造商零件编号 T2035H-6T
- 品牌 STMicroelectronics
- 额定平均通态电流 20A
- 安装类型 通孔
- 封装类型 TO-220AB
- 最大栅极触发电流 35mA
个 (以每管装提供)
RMB14.788(不含税)
- RS 库存编号 260-5091
- 制造商零件编号 IKQ40N120CH3XKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 80 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 500 瓦
每管：30 个
RMB35.323(不含税)
- RS 库存编号 195-8722
- 制造商零件编号 FFSP0865B
- 品牌 onsemi
- 产品类型 肖特基二极管
- 安装类型 通孔
- 包装类型 TO-220
- 最大连续正向电流 If 10.1A
个（每托盘 10 ）
RMB12.129(不含税)
- RS 库存编号 687-406
- 制造商零件编号 VS9V0UA1LBTBR1
- 品牌 ROHM
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 15.4V
- 最小击穿电压 10V
个
RMB8.375(不含税)
- RS 库存编号 792-0866
- 制造商零件编号 BCX56,115
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 1 A
- 最大集电极-发射极电压 80 V
- 封装类型 SOT-89
个（每带 40 ）
RMB0.805(不含税)
- RS 库存编号 687-8161
- 制造商零件编号 1SMB5934BT3G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 24V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每托盘 10 ）
RMB1.084(不含税)
- RS 库存编号 180-8623
- 制造商零件编号 IRFB17N50LPBF
- 品牌 Vishay
- 产品类型 功率 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 16A
- 最大漏源电压 Vd 500V
个（每托盘 2 ）
RMB45.51(不含税)
- RS 库存编号 842-7898P
- 制造商零件编号 NGTB35N65FL2WG
- 品牌 onsemi
- 最大连续集电极电流 70 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 300 W
个 (以每管装提供)
RMB44.365(不含税)
- RS 库存编号 243-4651P
- 制造商零件编号 PDTA114YQCZ
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -100 mA
- 最大集电极-发射极电压 -50 V
- 封装类型 DFN1412D-3
个 (以每卷装提供)
RMB0.947(不含税)
- RS 库存编号 438-2586
- 制造商零件编号 BZX84-C3V3,215
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 3.3V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 3000 ）
RMB0.141(不含税)
- RS 库存编号 244-5866P
- 制造商零件编号 FS200R06KE3BOSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 200 A
- 最大集电极-发射极电压 600 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 晶体管数 6
个 (以每托盘提供)
RMB849.98(不含税)
- RS 库存编号 243-4645P
- 制造商零件编号 PDTA114YQB-QZ
- 品牌 Nexperia
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -100 mA
- 最大集电极-发射极电压 -50 V
- 封装类型 DFN1110D-3
个 (以每卷装提供)
RMB0.872(不含税)
- RS 库存编号 246-4096
- 制造商零件编号 VS7V5UA1VWMTFTR
- 品牌 ROHM
- 二极管配置 单路
- 方向类型 单向
- 最大钳位电压 12.9V
- 最小击穿电压 8.2V
个（每托盘 25 ）
RMB2.801(不含税)
- RS 库存编号 228-2959
- 制造商零件编号 SQJ211ELP-T1_GE3
- 品牌 Vishay
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 P型
- 最大连续漏极电流 Id 33.6A
- 最大漏源电压 Vd 100V
个（每托盘 5 ）
RMB11.996(不含税)
- RS 库存编号 725-8641
- 制造商零件编号 BAS19,215
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 最大正向电流 200mA
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个
RMB0.363(不含税)
- RS 库存编号 819-3816
- 制造商零件编号 SMCJ45CA-E3/57T
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 方向类型 双向
- 最大钳位电压 72.7V
- 最小击穿电压 50V
个（每托盘 10 ）
RMB3.197(不含税)