54348 产品显示为 分立半导体
- RS 库存编号 822-2245P
- 制造商零件编号 BZT52C39-7-F
- 品牌 DiodesZetex
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 39V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.273(不含税)
- RS 库存编号 165-2914
- 制造商零件编号 BYM13-40-E3/96
- 品牌 Vishay
- 产品类型 二极管
- 安装类型 表面
- 包装类型 DO-213AB
- 最大连续正向电流 If 1A
个（每带 1500 ）
RMB1.742(不含税)
- RS 库存编号 545-2872
- 制造商零件编号 MBR1045G
- 品牌 onsemi
- 产品类型 二极管
- 安装类型 通孔
- 包装类型 TO-220
- 最大连续正向电流 If 10A
个（每托盘 5 ）
RMB5.484(不含税)
- RS 库存编号 122-0262
- 制造商零件编号 MMBT5551-7-F
- 品牌 DiodesZetex
- 晶体管类型 NPN
- 最大直流集电极电流 600 mA
- 最大集电极-发射极电压 160 V
- 封装类型 SOT-23
个（每带 3000 ）
RMB0.218(不含税)
- RS 库存编号 166-2509
- 制造商零件编号 FDMA1024NZ
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 5A
- 最大漏源电压 Vd 20V
个（每带 3000 ）
RMB2.067(不含税)
- RS 库存编号 145-2264
- 制造商零件编号 ZPY56-TR
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 56V
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 5000 ）
RMB0.388(不含税)
- RS 库存编号 162-9214
- 制造商零件编号 NUF2114MNT1G
- 品牌 onsemi
- 特性 ESD保护
- 二极管配置 阵列
- 方向类型 双向
- 最小击穿电压 13.7V
个（每带 3000 ）
RMB3.258(不含税)
- RS 库存编号 816-0576P
- 制造商零件编号 NX3008NBK,215
- 品牌 Nexperia
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 400mA
- 最大漏源电压 Vd 30V
个 (以每卷装提供)
RMB0.38(不含税)
- RS 库存编号 239-6244
- 制造商零件编号 BAT30F4
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 肖特基二极管
- 安装类型 PCB安装
- 包装类型 0201
- 最大连续正向电流 If 300mA
个（每托盘 15 ）
RMB0.667(不含税)
- RS 库存编号 202-5710
- 制造商零件编号 NTMFS0D8N02P1ET1G
- 品牌 onsemi
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 365A
- 最大漏源电压 Vd 25V
个（每托盘 10 ）
RMB14.516(不含税)
- RS 库存编号 781-5852P
- 制造商零件编号 MSR1560G
- 品牌 onsemi
- 二极管配置 单路
- 安装类型 通孔
- 每片芯片元件数目 1
- 封装类型 TO-220
个 (以每管装提供)
RMB6.613(不含税)
- RS 库存编号 257-9406
- 制造商零件编号 IRFR3607TRPBF
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 80A
- 最大漏源电压 Vd 75V
个（每托盘 5 ）
RMB9.746(不含税)
- RS 库存编号 145-1963
- 制造商零件编号 BZT55C3V3-GS08
- 品牌 Vishay
- 二极管配置 单路
- 标称齐纳电压 3.3V
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个（每带 2500 ）
RMB0.266(不含税)
- RS 库存编号 122-3317
- 制造商零件编号 DMN4010LK3-13
- 品牌 DiodesZetex
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 39A
- 最大漏源电压 Vd 40V
个（每带 2500 ）
RMB3.62(不含税)
- RS 库存编号 780-5357P
- 制造商零件编号 BAS16J,115
- 品牌 Nexperia
- 二极管配置 单路
- 最大正向电流 250mA
- 安装类型 贴片
- 每片芯片元件数目 1
个 (以每卷装提供)
RMB0.185(不含税)
- RS 库存编号 215-6675P
- 制造商零件编号 IKW75N65EH5XKSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 90 A
- 最大集电极-发射极电压 650 V
- 最大栅极发射极电压 ±20 V, ±30 V
- 最大功率耗散 395 W
个 (以每管装提供)
RMB42.58(不含税)
- RS 库存编号 184-1077
- 制造商零件编号 PZT751T1G
- 品牌 onsemi
- 晶体管类型 PNP
- 最大直流集电极电流 -2 A
- 最大集电极-发射极电压 -60 V
- 封装类型 SOT-223 (SC-73)
个（每带 1000 ）
RMB0.952(不含税)
- RS 库存编号 273-3016
- 制造商零件编号 IPN60R1K5PFD7SATMA1
- 品牌 Infineon
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 3.6A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每托盘 10 ）
RMB3.455(不含税)
- RS 库存编号 838-7055
- 制造商零件编号 FP35R12KT4B11BOSA1
- 品牌 Infineon
- 最大连续集电极电流 35 A
- 最大集电极-发射极电压 1200 V
- 最大栅极发射极电压 ±20V
- 最大功率耗散 210 W
个
RMB745.58(不含税)
- RS 库存编号 165-5377
- 制造商零件编号 STD13N65M2
- 品牌 STMicroelectronics
- 产品类型 MOSFET
- 槽架类型 N型
- 最大连续漏极电流 Id 10A
- 最大漏源电压 Vd 650V
个（每带 2500 ）
RMB8.271(不含税)